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電化學基礎(chǔ):微分電容到底是什么?它是CV曲線嗎?

時間:2020-09-02 來源:編輯之譚 瀏覽:

微分電容到底是什么?

Crusher

武漢大學博士生

 

細心地人可能早就發(fā)現(xiàn),dQ/dV~V的峰形跟cv的是一樣的,但具體為什么可能有些人并不理解,講得稍微深刻一點的地方,一般是這么介紹的:


(公式采用【編輯之談】信息的【upub編輯器】)

后面呢?沒了。那為什么微分電容和CV的結(jié)果二者一致呢?

事情得從一個原始的誰都知道,但絕大多數(shù)沒怎么理解的東西說起,這個東西叫:平衡電勢。

 

什么是平衡電勢,百度上的定義是這樣的:

這段話大家都覺得很有道理,也都讀得很明白。那還是這個問題,(用人話講)平衡電勢到底是什么?

平衡電池指的是在某種狀態(tài)下,一個物質(zhì)(設(shè)為M)不從外回路得到/失去電子,變成自己的還原/氧化態(tài)(也就是M堅持做自己)的情況下,材料自由能的外在體現(xiàn)。

 

 

如果外部條件變化,這種平衡就會被打破,這正好就是貫通熱力學和動力學的橋梁:


(公式采用【編輯之談】信息的【upub編輯器】)

為什么這么說呢?如果有外力,比如出現(xiàn)另外一個比它的氧化態(tài)還強的氧化劑,或比還原態(tài)還原性還強的還原劑,或者直接充放電(本質(zhì)還是強行從材料奪電子或給電子)。

更形象點說,當外部氧化劑(設(shè)為O)的電位比M的高時,M就會被O奪走電子(熱力學上說是這樣,但具體能不能實現(xiàn)還要看這個過程有沒有其他阻力,所以就有了所謂動力學的問題),這時候是不做功的.

但如果將二者隔開(設(shè)法隔開),并在中間架一根導(dǎo)線,就能讓電子從外部流動,這就是成了電池。

但如果是人為地緩慢的提高電勢,而不是直接給一個強的氧化劑去奪取電子,會怎么樣呢?

開始時,電位降低,電子奪取不下來,外電路電流很?。◤亩娏?,即容量也很小,q=it)。

當電位提高到到平衡電勢時并稍加一個過電位克服極化(這可能又是一個誰都知道但大多數(shù)人理解得一般的概念,以后有機會開專題講)的阻力,這時候M就會快速地變成它的氧化態(tài),劇烈地向外給出電子,放電過程則正好相反。

如果這個電子出得去、回得來,那就可以做成二次電池反復(fù)利用;如果出得去回不來,那就只能做成一次干電池。

有了上面的概念,我們再來理解為什么微分電容和CV是一回事呢?

上面提到,人為地提高電勢到平衡電位以上,會劇烈地奪取M上的電子,對外顯示的就是電流/容量。而認為提高電勢,即

(1)以一個橫定的速度直接提高電勢(CV);

(2)以一個橫定的速度灌入電流(電勢不是勻速上升)來實現(xiàn),這就是恒電流充放電曲線。當然也可以既非恒電流也非恒電勢,但不便于研究問題,用的不多。

 

如果是(1),當電勢低于平衡電勢時,M不會受影響,不會失去自身的電子。當電勢到達平衡電勢時,這是由于外力的存在,M體系內(nèi)的能量發(fā)生變化,電子被外回路奪取,對外顯示,就是出現(xiàn)了峰。如果走1圈,那就是循環(huán)伏安CV,只走半圈,那就是線性伏安LSV。所以本質(zhì)上說,CV中出現(xiàn)峰值,是說材料在這個電位處被打破了平衡。至于出現(xiàn)多個峰,即可能由于不同電對中心(如Fe和Mn)的平衡電勢本就不一樣,也可能由于同一個電對(比如Fe)在材料中處的晶體位置不一樣,這個位置影響了它的平衡電勢。[1]

 

如果是(2),向M不斷灌入電流時,電位也在發(fā)生變化,如果低于平衡電勢,灌入的電流相當于直接給了一個導(dǎo)體正電荷,但它無法吸納,就會使得的電位迅速變化,這就是充放電曲線中的類似于直線的部分(如下圖中被藍色框內(nèi)的部分)。但當電勢繼續(xù)升高,接近第一個平衡電勢,就會出現(xiàn)正電荷被吸收,導(dǎo)致電壓升高得較慢,如第一個圈。如果第二個平衡電勢處的M特別多,就會出現(xiàn)給多少正電荷都能吸收(M處于吃正電荷吃不飽的狀態(tài)),就會使得電勢基本維持了一個平臺,而這時候,還是在向外回路劇烈給電子。

到這里就可以看出:不管是CV還是重放電曲線,充電到達平衡電勢并超過它時,都會向外輸出大量電子,電子最直觀的體現(xiàn)就是電流增加,所以在CV曲線中會出現(xiàn)一個峰值,而在充放電曲線中會出現(xiàn)一個平臺,二者的本質(zhì)是完全一致的。做一個簡單的微分變化:

(公式采用【編輯之談】信息的【upub編輯器】)

平衡電勢負極處,會伴隨著一個很大的電流I。

還有一種理解方式是:將上面的圖形順時針旋轉(zhuǎn)90°(如下),即做成容量-電壓曲線,你們發(fā)現(xiàn)了什么? 正是Q-V曲線在每個V處的斜率,而平臺處正是曲線斜率最大的地方!

到這里,我們第2個問題就大概講完了,如果還有不理解的地方歡迎在本文末尾或者【微分求導(dǎo)】專題的其他系列文章末尾,留言找小編提問。

 

本文從電化學基礎(chǔ)知識上,對充放電數(shù)據(jù)的微分容量曲線做了深入的解釋,那么我們在前一篇文章『Matlab驗證:譚編首次提出的曲線微分求導(dǎo)方法科學嗎?』中提出的三種微分求導(dǎo)方法,在數(shù)學上嚴謹嗎?請繼續(xù)閱讀【微分求導(dǎo)】專題的下一篇文章數(shù)學原理上:我們的曲線微分方法嚴謹嗎?。

 

【參考文獻】

[1] X. Pu, H. Wang,T. Yuan, S. Cao, S. Liu, L. Xu, H. Yang, X. Ai, Z. Chen, Y. Cao, Energy Stor.Mater. (2019)DOI 10.1016/j.ensm.2019.1002.1017.

 

   

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