本文件適用于石英晶體元件激勵(lì)電平相關(guān)性(DLD)的測(cè)量。本文件規(guī)定兩種試驗(yàn)方法（A和C）和一種基準(zhǔn)測(cè)量方法（方法B）。方法A以IEC 60444ue0115的π型網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ)，適用于本文件所覆蓋的整個(gè)頻率范圍?；鶞?zhǔn)測(cè)量方法B依據(jù)IEC 60444ue0115或IEC 60444ue0118的π型網(wǎng)絡(luò)或反射法為基礎(chǔ)，適用于本文件所覆蓋的整個(gè)頻率范圍。方法C是振蕩器法，適用于固定條件下大批量基頻石英晶體元件的測(cè)量。注： 本文件規(guī)定的測(cè)量方法不僅適用于AT切型，也適用于其他晶體切型和振動(dòng)模式，如雙轉(zhuǎn)角切型和振動(dòng)模式(ITSC)和音叉晶體元件(通過(guò)使用高阻抗測(cè)試夾具)。 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 22319.6-2023 標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng)：石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量第6部分：激勵(lì)電平相關(guān)性(DLD)的測(cè)量 英文名稱(chēng)：Measurement of quartz crystal unit parameters—Part 6:Measurement of drive level dependence (DLD) 發(fā)布日期：2023-09-07 實(shí)施日期：2024-01-01 引用標(biāo)準(zhǔn)：IEC 60444-5 IEC 60444-8 采用標(biāo)準(zhǔn)：IEC 60444-6:2021《石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量第6部分:激勵(lì)電平相關(guān)性(DLD)的測(cè)量》 IDT 等同采用 起草人：王國(guó)軍、宮桂英、毛晶 起草單位：鄭州原創(chuàng)電子科技有限公司、北京晨晶電子有限公司、武漢海創(chuàng)電子股份有限公司 歸口單位：全國(guó)頻率控制和選擇用壓電器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 182)