首頁(yè) > 標(biāo)準(zhǔn)下載>SJ 50033/186-2018 半導(dǎo)體分立器件 3DK2222、3DK2222UA、3DK2222UB型硅NPN高頻小功率開(kāi)關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范 Semiconductor discrete devices Detail specification for types 3DK2222, 3DK2222UA and 3DK2222UB high frequency low power switching NPN silicon transistors免費(fèi)下載

SJ 50033/186-2018 半導(dǎo)體分立器件 3DK2222、3DK2222UA、3DK2222UB型硅NPN高頻小功率開(kāi)關(guān)晶體管詳細(xì)規(guī)范 Semiconductor discrete devices Detail specification for types 3DK2222, 3DK2222UA and 3DK2222UB high frequency low power switching NPN silicon transistors

標(biāo)準(zhǔn)類別：[SJ] 電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：SJ 50033/186-2018
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
更新時(shí)間：2023-11-16
下載次數(shù)：次

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本規(guī)范規(guī)定了3DK2222、3DK2222UA、3DK2222UB型硅NPN高頻小功率開(kāi)關(guān)晶體管(以下簡(jiǎn)稱器
件)的詳細(xì)要求。本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和使用。 50033/186-2018 半導(dǎo) 體分立器件3DK2222, 3DK2222UA, 3DK2222UB型硅NPN高頻小功率開(kāi) 關(guān) 晶體管　　　　　　　詳細(xì) 規(guī) 范　　 Semiconductor discrete devices Detail specification for types 3DK2222, 3DK2222UA and 3DK2222UB high frequency low power switching NPN silicon 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　transistors 2018-01-18發(fā) 布 2018-05-01實(shí) 施＠「 ‘ 「嘣 ‘ ” 「 “ 「 “ SJ 50033/186-2018 目次目0言 1范圍．..........................

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