本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用堆垛層錯(cuò)尺寸法測(cè)量硅外延層厚度的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于在＜111>、＜100>和＜110> 晶向的硅單晶襯底上生長(zhǎng)的2μm~120μm硅外延層厚度的測(cè)量。標(biāo)準(zhǔn) YS/T 23-2016 代替YS/T 23-1992 硅外延層厚度測(cè)定堆垛層錯(cuò)尺寸法 Test method for thickness of epitaxial layers-Stacking fault size 2016-04-05發(fā) 布 2016-09-01實(shí) 施 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布 廠 ’ 氣 氣 霍等／ YS/T 23-2016 刖 胃 　　本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T 1. 1-2009給出的規(guī)則起草 。 　　本標(biāo)準(zhǔn)代替YS/T 23-1992《 硅外延層厚度測(cè)定堆垛層錯(cuò)尺寸法 》 。 本標(biāo)準(zhǔn)與YS/T 23-1992相 比 ， 主 要 變 動(dòng) 如 下 ： 　 　 — — 增 加 了 “ 術(shù) 語(yǔ) 和 定 義 ” “ 干 擾 因 素 ” （ 見(jiàn) 第 3章 、 第 5章 ） ； 　　— —?jiǎng)h除了非破壞性測(cè)試方法 ； 　　— —在第6章中增加了無(wú)鉻腐蝕液B