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GB/T 42897-2023 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 硅基MEMS納米厚度膜抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
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- 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 42897-2023 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 硅基MEMS納米厚度膜抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
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標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介
本文件描述了硅基MEMS加工過程中所涉及的納米厚度膜軸向抗拉強(qiáng)度原位試驗(yàn)的要求和試驗(yàn)方法。本文件適用于采用微電子工藝制造的納米厚度膜抗拉強(qiáng)度測(cè)試。 標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 42897-2023 標(biāo)準(zhǔn)名稱:微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 硅基MEMS納米厚度膜抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法 英文名稱:Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Tensile strength test method for nano-scale membranes of silicon based MEMS 起草人:張大成、楊芳、李根梓、顧楓、劉鵬、李鳳陽(yáng)、王旭峰、高程武、陳藝、于志恒、華璇卿、劉若冰、張彥秀、王清娜、邵崢、李強(qiáng)、宏宇、趙成龍、張賓、李海全 起草單位:北京大學(xué)、中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、北京燕東微電子科技有限公司、廈門市智慧健康研究院有限公司、寧波瑞成包裝材料有限公司、四川富生電器有限責(zé)任公司、深圳市美思先端電子有限公司、無(wú)錫韋感半導(dǎo)體有限公司、廣州奧松電子股份有限公司、江門市潤(rùn)宇傳感器科技有限公司 歸口單位:全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 336)
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