GB/T 4937的本部分對已封裝的半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體分立器件進行⁶⁰Co γ射線源電離輻射總劑量試驗提供了一種試驗程序。
本部分提供了評估低劑量率電離輻射對器件作用的加速退火試驗方法。這種退火試驗對低劑量率輻射或者器件在某些應(yīng)用情況下表現(xiàn)出時變效應(yīng)的應(yīng)用情形是比較重要的。
本部分僅適用于穩(wěn)態(tài)輻照，并不適用于脈沖型輻照。
本部分主要針對軍事或空間相關(guān)的應(yīng)用。
本試驗可能會導(dǎo)致輻照器件的電性能產(chǎn)生嚴重退化，因而被認為是破壞性試驗。/T 4937.18-2018/IEC 60749-18:2002 半導(dǎo)體器件機械和氣候試驗方法 第18部分：電離輻射 （ 總劑量 ） Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods- 　 　 　 　 　 　 Part 18: Ionizing radiation(total dose) (IEC 60749-18:2002 , IDT) 2018-09-17發(fā) 布 2019-01-01實 施 ， 嚴 氣 累 齠 熹 轆 矗 黯 晷 發(fā) 布 ＼ 避 蟄 　 　 　 中 華 人 民 共 和 國 　 　 　 　 　 國 家 標 準 半 導(dǎo) 體 器 件 機 械 和 氣 候 試 驗 方 法 　 第 18部 分 ：電 離 輻 射 （ 總 劑 量 ） GB/T 4937.18-2018/IEC 60749-18:2002 　　　　中國標準出版社出版發(fā)行 　　北京市朝陽區(qū)和平里西街甲2號 （ 1