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GB/T 41033-2021CMOS 集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求Design requirements of radiation hardening for CMOS IC GB/T 41033-2021CMOS 集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求Design requirements of radiation hardening for CMOS IC

GB/T 41033-2021CMOS 集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求Design requirements of radiation hardening for CMOS IC

  • 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 41033-2021
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時(shí)間:2022-10-25
  • 下載次數(shù):
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本文件規(guī)定了CMOS集成電路抗輻射(總劑量、單粒子)加固設(shè)計(jì)的流程、設(shè)計(jì)要求,建模仿真、驗(yàn)證試驗(yàn)要求。本文件適用于基于體硅/SOI CMOS 工藝的數(shù)字集成電路﹑模擬集成電路和數(shù)?;旌霞呻娐返目馆椛?總劑量、單粒子)加固設(shè)計(jì)。

標(biāo)準(zhǔn)截圖
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