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GB/T 41064-2021表面化學(xué)分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry spu GB/T 41064-2021表面化學(xué)分析 深度剖析 用單層和多層薄膜測(cè)定X射線光電子能譜、俄歇電子能譜和二次離子質(zhì)譜中深度剖析濺射速率的方法Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry spu

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  • 標(biāo)準(zhǔn)類別：[GB] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 41064-2021
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
  • 更新時(shí)間：2022-10-25
  • 下載次數(shù)：次
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