本文件描述了利用兩個(gè)探頭在硅片表面自動(dòng)非接觸掃描測(cè)試硅片的翹曲度和彎曲度的方法。本文件適用于直徑不小于50mm,厚度不小于100μm的潔凈、干燥的硅片,包括切割、研磨、腐蝕、拋光、外延、刻蝕或其他表面狀態(tài)的硅片,也可用于砷化鎵、碳化硅、藍(lán)寶石等其他半導(dǎo)體晶片翹曲度和彎曲度的測(cè)試。