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GB/T 14140-2009硅片直徑測(cè)量方法Test method for measuring diameter of semiconductor wafer GB/T 14140-2009硅片直徑測(cè)量方法Test method for measuring diameter of semiconductor wafer

GB/T 14140-2009硅片直徑測(cè)量方法Test method for measuring diameter of semiconductor wafer

  • 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大小:
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 14140-2009
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時(shí)間:2022-12-16
  • 下載次數(shù):
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14140.1《硅片直徑測(cè)量法 光學(xué)投影法》和GB/T14140.2《硅片直徑測(cè)量法 千分尺法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T14140.1和GB/T14140.2相比,主要有如下變化:---可測(cè)量最大直徑的范圍增加到300mm;---刪除了引用標(biāo)準(zhǔn)GB12962《硅單晶》;---增加了引用標(biāo)準(zhǔn)GB/T12964《硅單晶拋光片》;---增加了引用標(biāo)準(zhǔn)GB/T6093《幾何量技術(shù)規(guī)范(GPS)長(zhǎng)度標(biāo)準(zhǔn) 量塊》;---增加了術(shù)語(yǔ)、意義用途、干擾因素;---修改了直徑模型的部分內(nèi)容;---光學(xué)投影法參照ASTM F61393《半導(dǎo)體晶片直徑的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法》進(jìn)行了修訂。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:劉玉芹、蔣建國(guó)、張靜雯、馮校亮。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T14140.1-1993、GB/T14140.2-1993。

標(biāo)準(zhǔn)截圖
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