本標準修改采用SEMIMF1389-0704《Ⅲ-Ⅴ號混雜物中對單晶體硅的光致發(fā)光分析的測試方法》。本標準對SEMIMF1389-0704格式進行了相應(yīng)調(diào)整。為了方便比較,在資料性附錄B中列出了本標準章條和SEMIMF1389-0704章條對照一覽表。并對SEMIMF13890704條款的修改處用垂直單線標識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。本標準與SEMIMF1389-0704相比,主要技術(shù)差異如下:---刪除了目的、術(shù)語和定義中的討論部分、偏差和關(guān)鍵詞等章節(jié)的內(nèi)容;---刪除了SEMIMF13890704中對砷鋁含量測定的內(nèi)容;---將實際測試得到的單一試驗室的精密度結(jié)果代替原標準SEMIMF1389-0704中的精度和偏差部分,并將原標準中的精度和偏差部分作為資料性附錄A 。本標準的附錄A 和附錄B為資料性附錄。本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出。本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標準起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所。本標準主要起草人:李靜、何秀坤、藺嫻。