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GB/T 6351-1998半導(dǎo)體器件 分立器件 第2部分;整流二極管 第一篇 100A以下環(huán)境或管殼額定整流二極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductor devices--Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes),ambient and GB/T 6351-1998半導(dǎo)體器件 分立器件 第2部分;整流二極管 第一篇 100A以下環(huán)境或管殼額定整流二極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductor devices--Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes),ambient and

GB/T 6351-1998半導(dǎo)體器件 分立器件 第2部分;整流二極管 第一篇 100A以下環(huán)境或管殼額定整流二極管(包括雪崩整流二極管)空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductor devices--Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes),ambient and

  • 標(biāo)準(zhǔn)類別：[GB] 國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 6351-1998
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
  • 更新時間：2022-10-04
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