本標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)內(nèi)容等同采用SMEIM630306《準(zhǔn)則:采用高分辨率X 光衍射法測(cè)量砷化鎵襯底上AlGaAs中Al百分含量的測(cè)試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SMEIM630306進(jìn)行了編輯性修改。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A 為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:章安輝、黃慶濤、何秀坤。