本標(biāo)準(zhǔn)等同采用SEMIMF1630?0704《低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF1630?0704相比,主要有如下變化:---用實(shí)際測(cè)量到的紅外譜圖代替SEMIMF1630?0704標(biāo)準(zhǔn)中的圖2、圖3。---用實(shí)驗(yàn)得到的單一實(shí)驗(yàn)室測(cè)試精密度代替SEMIMF1630?0704中給出的單一實(shí)驗(yàn)室測(cè)試精密度。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:梁洪、過惠芬、吳道榮。