本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF5340706《硅片彎曲度測(cè)試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF5340706相比,主要變化如下:---本標(biāo)準(zhǔn)接觸式測(cè)量方法格式按GB/T1.1格式編排;---本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)我國(guó)實(shí)際生產(chǎn)情況增加了非接觸式測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T6619-1995《硅片彎曲度測(cè)試方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T6619-1995相比,主要有如下變動(dòng):---擴(kuò)大了可測(cè)量硅片范圍為直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形硅片;---增加了引用文件、術(shù)語(yǔ)、意義用途、測(cè)量環(huán)境條件和干擾因素等章節(jié);---修改了儀器校正的內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:劉玉芹、蔣建國(guó)、馮校亮、張靜雯。本標(biāo)準(zhǔn)所替代標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB6619-1986、GB/T6619-1995。