本標準修改采用了SEMIMF6731105《用非接觸渦流法測定半導(dǎo)體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法》。本標準與SEMIMF6731105相比主要變化如下:---本標準范圍中只包括硅半導(dǎo)體材料,去掉了范圍中對于其他半導(dǎo)體晶片的適用對象;---本標準未采用SEMIMF6731105中局部范圍測量的方法Ⅱ;---未采用SEMI標準中關(guān)鍵詞章節(jié)以適合GB/T1.1的要求。本標準代替GB/T6616-1995《半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定 非接觸渦流法》。本標準與GB/T6616-1995相比,主要有如下變化:---調(diào)整了本標準測量直徑或邊長范圍為大于25mm;---增加了引用標準;---修改了第3章中的公式---修改了第4章中參考片電阻率的值與表1指定值之偏差為小于±25%;---增加了干擾因素;---修改了第6章中測試環(huán)境溫度為23℃±1°C;---規(guī)定了測試環(huán)境清潔度不低于10000級;儀器預(yù)熱時間為20min;---第7章中采用了SEMIMF6731105標準中相關(guān)的精度和偏差。本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出。本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標準負責(zé)起草單位:萬向硅峰電子股份有限公司。本標準主要起草人:樓春蘭、朱興萍、方強、汪新平、戴文仙。本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T6616-1995。