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GB/T 1555-2009半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal GB/T 1555-2009半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

GB/T 1555-2009半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

  • 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 1555-2009
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時(shí)間:2022-07-25
  • 下載次數(shù):
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T1555-1997《半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T1555-1997相比,主要有如下變化:---增加了術(shù)語(yǔ)章;---增加了干擾因素章;---將原標(biāo)準(zhǔn)定向推薦腐蝕工藝中硅的腐蝕時(shí)間5min改為硅的腐蝕時(shí)間3min~5min。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:楊旭、何蘭英。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB1555-1979、GB1556-1979、GB5254-1985、GB5255-1985、GB8759-1988;---GB/T1555-1997。

標(biāo)準(zhǔn)截圖
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