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GB/T 6352-1998半導(dǎo)體器件 分立器件 第6部分;閘流晶體管 第一篇 100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors-Section One--Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient or case-rated,up to 100A GB/T 6352-1998半導(dǎo)體器件 分立器件 第6部分;閘流晶體管 第一篇 100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors-Section One--Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient or case-rated,up to 100A

GB/T 6352-1998半導(dǎo)體器件 分立器件 第6部分;閘流晶體管 第一篇 100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors-Section One--Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient or case-rated,up to 100A

  • 標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)別：[GB] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 6352-1998
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
  • 更新時(shí)間：2022-06-14
  • 下載次數(shù)：次
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