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GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技術(shù).氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for KOH etch process GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技術(shù).氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for KOH etch process

GB/T 28275-2012硅基MEMS制造技術(shù).氫氧化鉀腐蝕工藝規(guī)范Silicon-based MEMS fabrication technology—Specification for KOH etch process

  • 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大小:
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號:GB/T 28275-2012
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時間:2022-06-10
  • 下載次數(shù):
標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC336)提出并歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、重慶大學(xué)、東南大學(xué)、中國電子科技集團第四十九研究所、中機生產(chǎn)力促進中心。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:夏偉鋒、熊斌、馮飛、戈肖鴻、周再發(fā)、李玉玲、賀學(xué)鋒、田雷、劉偉。

標(biāo)準(zhǔn)截圖
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