ICS 29.020K 04備案號(hào): 47204- -2014JB中華人民共和國(guó)機(jī)械行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JB/T 12066- -2014 .高海拔污穢地區(qū)盤形懸式絕緣子片數(shù)選擇導(dǎo)則.Guidelines for selection of the cap and pin type insulatorsused in high altitude and pollution area2014-07-09發(fā)布2014-11-01實(shí)施中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布JB/T 12066- -2014目次前....規(guī)范性引用文件4 .擇...................根據(jù)實(shí)際環(huán)境的Uso選.......5.2 絕緣子 片數(shù)的確定........6.2絕緣子 片數(shù)的確定.7.絕緣子50%污穢耐受電壓的海拔修正.7.3 絕緣 子片數(shù)的確定.. ............48根據(jù)USCD的海拔修正值選擇8.USCD的海拔修正方法.........8.2 絕緣子片數(shù)的確定............附錄A (規(guī)范性附錄)海拔與氣壓的關(guān)系附錄B (資料性附錄)濕污法試驗(yàn)B.1試驗(yàn)場(chǎng)地 的選擇B.2絕緣 子的清洗..6B.3 絕緣子的染污B.4 污穢度的測(cè)量B.5閃絡(luò)試驗(yàn)B.6單片絕緣子 50%閃絡(luò)電壓的確定............附錄C(資料性附錄)污穢不均勻分布修正系數(shù)k2的選擇...表A.1海拔 與氣壓的關(guān)系......表C.1交流系統(tǒng) 下不同污穢地區(qū)瓷和玻璃絕緣子的T/B推薦值及k2值.表C.2直流 系統(tǒng)下不同污穢地區(qū)瓷和玻璃絕緣子的T/B推薦值及kz值...................7JB/T 12066- -2014高海拔污穢地區(qū)盤形懸式絕緣子片數(shù)選擇導(dǎo)則1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了高海拔污穢條件下交、直流架空輸變電系統(tǒng)用盤形懸式瓷或玻璃絕緣子片數(shù)的選擇方本標(biāo)準(zhǔn)適用于海拔(1 000~5 500 m地區(qū)交、直流架空輸電線路用的盤形懸式瓷或玻璃絕緣子片數(shù)的選擇。2規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本( 包括所有的修改單)適用于本文件。GBT311.2- -2013 絕緣配合第2 部分:使用導(dǎo)則GBT2900.5電工術(shù)語(yǔ) 絕緣固體、 液體和氣體G3T 2900.8電工術(shù)語(yǔ)絕緣子GBT4585- -2004 交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)GBT 14597- 2010電工產(chǎn) 品不同海拔的氣候環(huán)境條件GBT 16927.1- -2011高電壓試驗(yàn)技術(shù) 第1部分: -般定義及試驗(yàn)要求GBT 22707- -2008直流 系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)GBT 26218.1- 2010污穢條件下使用的高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則DLT 368- 2010 輸電線路用絕緣子污穢外絕緣的高海拔修正3術(shù)語(yǔ)和定義GB/T 2900.5、GB/T 2900.8和GB/T 26218.1- -2010界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。4選擇方法本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的高海拔污穢條件下盤形懸式瓷或玻璃絕緣子片數(shù)的選擇方法有四種:根據(jù)實(shí)際環(huán)境的Uso選擇;根據(jù)人工模擬環(huán)境Uso選擇;根據(jù)1000m及以下地區(qū)Uso的海拔修正值選擇;--根據(jù) USCD的海拔修正值選擇。1JB/T 12066- -20145根據(jù)實(shí)際環(huán)境的Uso選擇5.1絕緣子 串50%污穢耐受電壓在有條件的情況下，應(yīng)在線路實(shí)際經(jīng)過(guò)的高海拔地區(qū)進(jìn)行絕緣子污穢耐受電壓試驗(yàn)。5.1.1試品準(zhǔn)備試品采用表面潔凈的絕緣子、預(yù)涂污絕緣子或自然積污絕緣子。預(yù)涂污絕緣子的染污和干燥方法參照GB/T 4585- -2004 的固體污層法。5.1.2試品布置試品絕緣子串- -般按實(shí)際安裝方式布置。絕緣子的任何部分與除了絕緣子的支架和噴嘴柱(當(dāng)使用時(shí))之外的任何接地物之間的最小間距應(yīng)為每100 kV試驗(yàn)電壓不小于0.5 m。對(duì)于全尺寸的絕緣子串，如果實(shí)際運(yùn)行中安裝了均樂(lè)環(huán)，則在試驗(yàn)中應(yīng)加上均壓環(huán)。5.1.3 50%污穢耐受電壓采用恒壓升降法得到絕緣子的50%污 穢耐受電壓及其標(biāo)準(zhǔn)偏差，交流系統(tǒng)用絕緣子試驗(yàn)程序參照GB/T 4585- 2004， 直流系統(tǒng)用絕緣子參照GB/T 22707- 2008。注:若在高海拔現(xiàn)場(chǎng)沒(méi)有人工霧室和產(chǎn)生人工霧的條件，無(wú)法按GBT 4585- -2004 規(guī)定的程序進(jìn)行試驗(yàn)，則可采用濕污法進(jìn)行試驗(yàn)，并得到高游拔污穢地區(qū)單片絕緣子的50%耐受電壓值。關(guān)于濕污法的說(shuō)明參見(jiàn)資料性附錄B.5.2絕緣子 片數(shù)的確定高海拔污穢條件下絕緣子的片數(shù)按公式(1)確定:N≥|kUm(1)[ k2k:Uso(1-3σ)_式中:N-絕緣子串的片 數(shù)。k一安全因數(shù)，按GB/T311.2- 2013 中的6.3選取。Um絕緣子串承受的最高工作電壓，單位為千伏(kV)。 .kz一污穢 不均勻分布修正系數(shù)，對(duì)于自然積污絕緣子以及按實(shí)際環(huán)境中絕緣子上、下表面等值鹽密的測(cè)量值進(jìn)行人工染污的絕緣子，kz取1;如果對(duì)絕緣子人工均勻染污，則需要參考附錄C選取k2的值。的s一單串閃絡(luò) 和多串并聯(lián)閃絡(luò)概率的差別，按GB/T311.2- -2013 中附錄B的B.2選取。Uso--高海拔污 穢地區(qū)單片絕緣子的50%耐受電壓值，單位為千伏(kV)。試驗(yàn)電壓的標(biāo)準(zhǔn)偏差，根據(jù)試驗(yàn)求取，- -般情況下可取7.0%。6根據(jù)人工氣候室模擬環(huán)境的 Uso選擇6.1絕緣子串的50%污穢耐受電壓若無(wú)條件在線路需經(jīng)過(guò)的實(shí)際高海拔環(huán)境進(jìn)行試驗(yàn)，可在人工氣候試驗(yàn)室內(nèi)進(jìn)行模擬試驗(yàn)。JB/T 12066- 20146.1.1試品準(zhǔn)備試品采用表面潔凈的絕緣子、預(yù)涂污絕緣子或自然積污絕緣子。預(yù)涂污絕緣子的染污和干燥方法參照GB/T 4585- -2004 的固體污層法。6.1.2試品布置試品絕緣子串-般按實(shí)際安裝方式布置。絕緣子的任何部分與除了絕緣子的支架和噴嘴柱(當(dāng)使用時(shí))之外的任何接地物之間的最小間距應(yīng)為每100 kV試驗(yàn)電壓不小于0.5 m。對(duì)于全尺寸的絕緣子串，如果實(shí)際運(yùn)行中安裝了均壓環(huán)，則在試驗(yàn)中應(yīng)加上均壓環(huán)。6.1.3高海 拔模擬在人工氣候室模擬高海拔環(huán)境時(shí)，根據(jù)絕緣子實(shí)際運(yùn)行的海拔，結(jié)合附錄A提供的氣壓和海拔對(duì)應(yīng)關(guān)系確定人工氣候室模擬高海拔地區(qū)的氣壓值，調(diào)整人工氣候室內(nèi)的氣壓值。6.1.4人工氣候?qū)嶒?yàn)室的蒸汽霧人工氣候?qū)嶒?yàn)室的蒸汽霧由蒸汽霧發(fā)生器產(chǎn)生。由于人工氣候室內(nèi)的氣壓與外界氣壓不一一致, 應(yīng)調(diào)節(jié)蒸汽霧產(chǎn)生系統(tǒng)，使噴霧器的相對(duì)壓力及霧流量滿足GB/T 4585- -2004 的要求。6.1.5 50%污穢耐受電壓采用恒壓升降法得到絕緣子的50%污穢耐受電壓及其標(biāo)準(zhǔn)偏差，交流系統(tǒng)用絕緣子試驗(yàn)程序參照GB/T 4585- -2004， 直流系統(tǒng)用絕緣子參照GB/T 22707- -2008， 試驗(yàn)過(guò)程中應(yīng)維持人工氣候室的氣壓值穩(wěn)定。6.2絕緣子 片數(shù)的確定根據(jù)人工氣候室試驗(yàn)結(jié)果，按公式(1)確定。7根據(jù)1000m及以下地區(qū)Uso的海拔修正值選擇7.1總則如不具備在高海拔地區(qū)污穢條件下進(jìn)行試驗(yàn)，且沒(méi)有條件利用人工氣候室模擬現(xiàn)場(chǎng)氣象條件進(jìn)行試驗(yàn)的，可采用Uso值進(jìn)行海拔修正的方法確定絕緣子片數(shù)。7.2絕緣子 50%污穢耐受電壓的海拔修正高海拔地區(qū)污穢條件下絕緣子的50%耐受電壓的海拔修正系數(shù)k;按公式(2)、公式(3)、公式(4)確定:UH,so=k;U,so'PHH/1000- 1S.6onki=(3). P,]-(.45.1公式(3)簡(jiǎn)化為公式(4):kq =1-0.12n(H/1000-1)3JB/T 12066- 2014式中:Uu, so-高海拔地區(qū)污穢條件下單片絕緣子耐受電壓，單位為千伏(kV);P:--高海拔地區(qū)的氣壓，單位為千帕(kPa); .Ul,so--海拔1 000 m及以下污穢條件下單片絕緣子50%耐受電壓，單位為千伏(kV);P一 海拔1000 m處的氣壓，單位為千帕(kPa)， 取值見(jiàn)附錄A;H--海拔，單位為米(m)，H>1000m;n-氣壓影響特征指數(shù)，其值按DL/T 368- 2010 中4.3進(jìn)行選取。.7.3絕緣子 片數(shù)的確定根據(jù)海拔修正后的Uso,按公式(1) 確定。8根據(jù)USCD的海拔修正值選擇8.1 USCD 的海拔修正方法高海拔地區(qū)所使用的交、直流瓷或玻璃絕緣子的USCD按照公式(5)修正，即................................... (5)X≤I ktX-污穢條件下USCD的海拔修正系數(shù);X:一高海拔污穢地區(qū)的USCD， 單位為毫米每千伏(mm/kV);-1 000 m及以下地區(qū)的USCD，根據(jù)GB/T 26218.1- -2010進(jìn)行選擇;k;一高海拔地區(qū)污穢條件下絕緣子50%耐受電壓的海拔修正系數(shù)。高海拔地區(qū)污穢條件下USCD的修正系數(shù)示例參見(jiàn)DL/T 368- 2010 的附錄B.8.2絕緣子片數(shù)的確定在高海拔地區(qū)污穢條件下所使用的交、直流瓷或玻璃絕緣子串片數(shù)的選擇按公式(6)確定，即Na ......................... (6)N;--高海拔地區(qū)污穢條件下所需的絕緣子片數(shù);V≤1一海拔1000m及以下地區(qū)污穢條件下按照USCD確定的絕緣子片數(shù):.x一污穢條件下 USCD的海拔修正系數(shù)，取公式(5)計(jì)算值。JB/T 12066- -2014附錄A(規(guī)范性附錄)海拔與氣壓的關(guān)系在人工氣候試驗(yàn)室模擬高海拔地區(qū)時(shí)，可利用調(diào)整人工氣候試驗(yàn)室內(nèi)的壓力來(lái)反映不同海拔。根據(jù)GB/T 14597- -2010 中第4章的規(guī)定，海拔按- -定的高程分級(jí)，海拔與氣壓的關(guān)系分為10級(jí)，按表A.1確定。表A.1海拔與氣壓的關(guān)系海拔m01 00020002 5003 0003500| 4 000 4 5005 0005 500氣壓kPa101.389.8 .79.474.670.065.761.657.754.050.55JB/T 12066- -2014附錄B(資料性附錄)濕污法試驗(yàn)濕污法試驗(yàn)是將絕緣子人工染污后直接進(jìn)行閃絡(luò)試驗(yàn)，不需要人工霧室對(duì)污穢進(jìn)行濕潤(rùn)，只能在沒(méi)有人工霧室和產(chǎn)生人工霧條件的自然現(xiàn)場(chǎng)采用。濕污法的試驗(yàn)程序?yàn)?B.1試驗(yàn) 場(chǎng)地的選擇根據(jù)實(shí)際運(yùn)行線路的環(huán)境條件選擇合適的試驗(yàn)點(diǎn)。B.2絕緣子 的清洗按照GB/T 4585- -2004中5.2對(duì)絕緣子進(jìn)行清洗，晾干備用。若無(wú)符合要求的去離子水，可采用其他清潔水源。B.3絕緣子的染污按照GB/T 4585- -2004中第13章準(zhǔn)備污液。若無(wú)符合要求的去離子水，可采用其他清潔水源，并修正其溫度和電導(dǎo)率的影響。絕緣子染污采用固體層法的漫污方式，即將清洗并晾干的絕緣子沒(méi)入裝有污液的容器中，手持鋼腳、鋼帽在污液中晃動(dòng)，絕締于充計(jì)浸潤(rùn)后提出，用脫脂棉清除鋼腳、鋼帽.上的污穢，將其懸掛至試驗(yàn)架，待其傘裙邊沿不滴污液后立即施加電壓進(jìn)行試驗(yàn)。B.4污穢 度的測(cè)量若自然現(xiàn)場(chǎng)無(wú)測(cè)量條件,污穢度的測(cè)量可在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)進(jìn)行。為保證實(shí)驗(yàn)室測(cè)量結(jié)果與自然現(xiàn)場(chǎng)-致，污液的配制和絕緣子染污方法與自然現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)完全一致，自然陰干后按GB/T 4585- 2004 中第16章的規(guī)定進(jìn)行測(cè)量。B.5 閃絡(luò)試驗(yàn)采用均勻升壓法進(jìn)行試驗(yàn)。- -次閃絡(luò)后，切斷屯源，使用噴霧器對(duì)絕緣子噴霧，使被電弧燒干的絕緣子表面再次濕潤(rùn)，便于繼續(xù)進(jìn)行閃絡(luò)試驗(yàn)，在噴霧時(shí)，必須保證沒(méi)有污液從絕緣子表面滴落，否則視為該次試驗(yàn)無(wú)效。B.6單片絕緣子 50%閃絡(luò)電壓的確定在同一污液下，試晶絕緣子不少于3串，每串閃絡(luò)4次~5次，有效閃絡(luò)次數(shù)不少于11次，所有有效閃絡(luò)試驗(yàn)電壓的平均值為該污液下絕緣子串的50%閃絡(luò)電壓，標(biāo)準(zhǔn)偏差按GB/T 16927.1- 2011 中A.3.3計(jì)算，若標(biāo)準(zhǔn)偏差大于5.0%，則試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。根據(jù)絕緣子串的50%閃絡(luò)電壓按線性關(guān)系求取單片絕緣子的50%閃絡(luò)電壓值.注:在某個(gè)50%閃絡(luò)電壓試驗(yàn)過(guò)程中，若環(huán)境溫度變化超過(guò)5 K或相對(duì)濕度變化超過(guò)10%，則本試驗(yàn)無(wú)效。JB/T 12066- -2014附錄C(資料性附錄)污穢不均勻分布修正系數(shù)k2的選擇絕緣子上、下表面污穢分布不均勻時(shí)，應(yīng)對(duì)50%耐受電壓進(jìn)行修正，污穢不均勻分布修正系數(shù)為:k2=1- Ax lg(T/ B....式中:A- - 系數(shù)，對(duì)于瓷和玻璃絕緣子，A在交流電壓下取0.27， 在直流電壓下取0.38;T/B- 絕緣子上、下表面等值附鹽密度之比，該值以線路實(shí)際經(jīng)過(guò)地區(qū)的測(cè)量值為準(zhǔn)，若無(wú)測(cè)量值，可按推薦值選取。交流、直流系統(tǒng)下，不同污穢等級(jí)地區(qū)的T/B推薦值及kr值分別見(jiàn)表C.1、表C.2。表C.1交 流系統(tǒng)下不同污穢地區(qū)瓷和玻璃絕緣子的TIB推薦值及k2值污穢等級(jí)0II7B/11/21//51/7k21.081.191.23表C.2直流系統(tǒng) 下不同污穢地區(qū)瓷和玻璃絕緣子的T/B推薦值及kz值清潔輕污穢中污穢嚴(yán)重污穢.TI1/5181 10k1.181.271.34中華人民共和國(guó)機(jī)械行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高海拔污穢地區(qū)盤形懸式絕緣子片數(shù)選擇導(dǎo)則JB/T 12066- -2014機(jī)械工業(yè)出版社出版發(fā)行北京市百萬(wàn)莊大街22號(hào)郵政編碼: 100037210mmX 297mm .0.75印張.19千字2014年12月第1版第1次印刷定價(jià): 15.00 元書(shū)號(hào): 15111. 12247網(wǎng)址: http: //www. cmpbook .com編輯部電話: (010) 88379778直銷中心電話: (010) 88379693封面無(wú)防偽標(biāo)均為盜版版權(quán)專有侵權(quán)必 究打印日期: 2015年2月2日 F009A