通過對某些測試方法的改進,設計了綜合測試方案,以達到最終實現(xiàn)對薄膜樣品膜面、膜厚兩個方向上電導率和Seebeck系數(shù)的測試.制備了薄膜樣品.應用電子束微影技術,在矽晶片表面制造納米孔洞陣列結(jié)構,以改善半導體介面性質(zhì)并增進其導電性,研究結(jié)果顯示,在矽晶片表面建構方型孔洞陣列,且在孔洞夠小的情況下,與未建構納米孔洞而只做退火處理的對照樣品相比,有效降低了導體的接觸電阻,在金屬導體電接觸中,擁有更加優(yōu)良的導電性,即在低溫制程的中小孔洞陣列結(jié)構能取代退火處理.納米科技有效增進半導體薄膜接點導電特性.