建立了反映半導體微腔激光器特性的模型。借助計算機手段，運用Matlab軟件 直接給出了半導體微腔激光器瞬態(tài)響應的仿真結(jié)果及載流子密度和光子密度的相圖。分析了自發(fā)輻射因子、注入電流和腔長對微腔激光器的激射閾值、延遲時間、馳豫振蕩頻率和光輸出等參量的影響。該模型及有關(guān)結(jié)論為半導體微腔激光器的工藝制作，改善的高頻調(diào)制特性和優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)提供了理論依據(jù)。