Vol.23高等學?；瘜W學報No. 72002年7月CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES1375~ 1378鋰在高有序熱解石墨(HOPG)電極中的擴散系數(shù)努麗燕娜，萬傳云，嚴曼明，莊繼華，江志裕(復旦大學化學系，上海200433)摘要用循環(huán)伏安、交流阻抗和電位階躍法研究了平板高有序熱解石墨(HOPG)電極在1mol/LLiPF。和體積比為1: 1的EC/DMC溶液中的電化學行為.結果表明，石墨的嵌鋰反應僅發(fā)生在邊界面上.隨著嵌鋰量的增加，表面SEI膜的電阻和嵌入反應的極化電阻減小.用交流阻抗譜和電位階躍方法測定的鋰在高有序熱解石墨中的擴散系數(shù)一致，并隨充電程度的增加而顯著減小，在電極電位(vs. Li/Li+ )0.2~0.05 V區(qū)間，擴散系數(shù)由10- "crm/s下降到10- -12 cm*/s.關鍵詞高有序熱解石 墨(HOPG);鋰離子電池負極;擴散系數(shù);嵌入反應中圖分類號O646文獻標識碼A文章編號0251-0790( 2002)07- 1375-04 :石墨是鋰離子電池的重要負極材料之一口，由于理論比容量較高(372 mA●h/g)，且資源豐富，故在鋰電池工業(yè)中的應用正在擴展.擴散系數(shù)是碳電極嵌鋰反應的重要參數(shù)，它與碳電極可承受充放電流的能力有關，常用電化學交流阻抗圖譜法(EIS)[2~-6]、電位階躍時間電流法(PSCA)P、電位間歇滴定法(PITT)[4、電流脈沖弛豫法(CPR)[7I和Warburg阻抗法2測試，實驗測得鋰在碳材料中的擴散系數(shù)與材料來源有關，其變化范圍較大，為10-°~10-13cm2/s.已知鋰在碳中的擴散系數(shù)隨嵌鋰量的增加而下降(2~4.7].目前，鋰在碳中擴散系數(shù)的測定存在數(shù)據(jù)一致性較差的問題口.其原因可歸因于嵌入反應及多孔性電極的復雜性.為正確測定鋰在碳中的擴散系數(shù)，我們選用了塊狀的高有序熱解石墨(HOPG)為研究材料.它具有高度的有序性，碳原子處在垂直于c軸的層面(0001)上，與層面垂直的是邊界面，以HOPG邊界面平板電極為研究電極研究嵌入反應，并求出鋰在石墨中的擴散系數(shù).1實驗部分以層面(0001)為基準，將用作晶體單色器的高有序熱解石墨(ZYH型，美國Advanced Ceramics公司)切出立方塊做電極.用環(huán)氧樹脂將其封入玻璃管中，制成表面為層面或邊界面的電極.充放電實驗電極面積0.4 cmX0.4 cm,立方塊重0.128g.循環(huán)伏安實驗電極面積為0.2 cmX0.2 cm.對于層面電極，可利用膠紙粘貼后撕下的方法進行層層剝離，露出新鮮表面.邊界面電極的表面采用0.1 μm氧化鋁粉拋光.由于石墨很軟，拋光時氧化鋁粉易于嵌入表面，用超聲波清洗后再用小刀小心刮去表面層可以取得可重復的數(shù)據(jù).分別作循環(huán)伏安、交流阻抗和電位階躍法測試.實驗采用玻璃三電極電解池，輔助電極和參比電極均為鋰片.電解液為1 mol/L LiPF。，體積比為1:1的EC/DMC溶液(Merck公司).使用前研究電極和電解池均在120C下干燥2h.電解池的組裝是在干燥空氣氛的手套箱中進行，箱內放有多盤P2Os以保持空氣的干燥、用PAR M273A和PARM398電化學測試系統(tǒng)進行電化學測量.循環(huán)伏安曲線的電位掃描速度為0.1mV/s.電化學交流阻抗譜的測定參數(shù):電位微擾值5 mV,頻率為1 mHz~100kHz，重復測量3次.實驗在室溫下進行.2結果和討論2.1循環(huán)伏安特性圖1為平板HOPG電極在1mol/LLiPF。，體積比為1:1EC/DMC溶液中的循環(huán)伏安曲線.由1376高等學?；瘜W學報Vol.23圖1曲線a可見，第一次負向電位掃描時在0.5V左右有一電流峰，它對應于電解液的陰極分解和生成固體電解質界面層(SEI).電位進-步降低時，生成鋰碳嵌合物的陰極電流逐漸增加.當電位回掃時鋰碳嵌合物陽極氧化，出現(xiàn)陽極電極峰.在第二次電位掃描時，0.5 V的陰極電流峰消失，這可歸因于致密的固體電解質界面層阻止了溶液的分解.圖1曲線b是HOPG層面電極的循環(huán)伏安曲線，其氧化還原電流很小，與曲線a相比電流可以忽略.因此石墨的陰極嵌鋰反應僅發(fā)生在邊界面上.2. ot0. 20.0個2. 。乏-0.22/-0.4S 0.-0.60.4 t-0.80.00.40.81.1.60.30.6 0.9 1.2E/V(0s. 1/Li+)Fig. 1 Cyelic voltammograms of the HOPG edge plane Fig. 2 The relationship between working potential (a )electrode(a) and HOPG basal plane electrode(b)and open circuit potential (b) with the charge1 mol/L LiPF。，1 : 1 EC/DMC solution; v=0. 1 mV/amount y in Li,Co for a HOPG edge plane elec-s, A=0. 04 cm*,trode2.2生成鋰碳化合物的開路電極電位高有序熱解石墨邊界面電極的陰極充電過程包括生成固體電解質界面層和嵌鋰電極反應兩部分.圖2為平板邊界面電極以50μA/em2陰極充-定電量后的工作電位值(曲線a)和相應的開路24h后電位的穩(wěn)定值(曲線6).圖2每個點均由一個新電極測得.充電電量用Li,C中的y值表示.開路電位反映了電極的熱力學性能.從圖2可知，在y為0~0.1區(qū)間電極電位下降很快.這時耗去的電量用于溶液分解和生成固體電解質界面層[8].在y=0.1~0.4區(qū)間電極電位下降率減小，相應于成膜過程與嵌入反應共存階段.當y>0.4后開路電極電位隨充電量的變化緩慢，且出現(xiàn)一些平段.相應于生成不同中間階段的嵌入化合物D1.在y=1.2時，開路電位達到0 V,說明電極已全部生成LiC。,并開始析出金屬鋰.2.3鋰在高有序石 墨中的擴散系數(shù)2.3.1 電化學交流阻抗譜法 以50 μA/em2對高有序石墨邊界層面電極進行陰極充電，當充電到一定電位后穩(wěn)定24 h,然后測量電極的交流阻抗，依24次逐個進行測試.圖3為在第-次充電過程中測得20的電化學交流阻抗復平面圖.圖3曲線a相應電極16電位為2. 1 V, y=0，即未充電時的情況.曲線6相應的電位為0.8 V,處于生成固體電解質界面層的初始階段，圖上有一個半圓，該半圓反映了成膜過程的動力學特性.曲線c相應于0.6 V，它有兩個半圓，說明成膜過程和嵌入反應同時進行，曲線d-f處于以嵌入反應為主的區(qū)間.曲線c- f的高Zte/kQ頻段的半圓反映了膜的性質，低頻段的半圓則是由Fig. 3 Variations of impedance spectra of an HOPG .嵌入反應動力學參數(shù)和雙電層電容決定的.在更低edge plane electrode during the first charge pro-的頻率區(qū)間，曲線b-f均呈現(xiàn)平行的直線，其與cessNo. 7努麗燕娜等:鋰在高有序熱解石墨(HOPG)電極中的擴散系數(shù)1377電容/膜電阻并聯(lián)組和雙電層電容/法拉第阻抗并聯(lián)組的串聯(lián)線路(見圖4521).其中R。為電解液及電極的接觸電阻;R,C分別為石墨電極表面鈍化膜的電阻和電容;Ru,Ca分別為嵌入反應電荷傳遞極化電阻和雙電層電容.電化學參數(shù)擬合結果見表1.RdRFig.4 The equivalent circle of HOPG electrodeTable 1 The electrochemical parameters for HOPG edge electrode during the first charge processPotential/VR:/0R/(N●cm2)C/(pF●cm-2)Re/(02●cm2)Ca/(F ●cm-2)0.824.34748400.625.233048311.3X10-10.424.13003314210.5X10-+0.230. 624141811652.6X10-↓0. 0528. 62019910286. 6X 10-由表1可知，隨電位的下降R:值逐漸變小.這可能是由于SEI膜中Li+濃度的增加，C;值總體下降，但在0.2 V時一個較高的數(shù)值. Ra 也逐漸下降，這與圖2中表現(xiàn)的低電位區(qū)極化減小是一致的.在嵌鋰程度較高時，雙電層電容C.顯著增大.鋰在石墨中的擴散過程特性反映在低頻區(qū)的直線部分.由下式可求鋰在鋰碳嵌入化合物中的擴散系數(shù)[1]:Zim =- σw-1/2; σ=Vm(dE。e/dx)(1)nFA(2D)1/2式中Zm為復數(shù)阻抗的虛部，w為角頻率，n=1, A為電極的反應面積，E.為開路電極電位. Vm為鋰在Li,C。中的摩爾體積:10_M/dVm= x/68M=12為碳的原子量, d=2.0 g/em*,為高有序石墨的密度，2x/6是Li,C中的鋰碳比. dE:/d.x 為在不同嵌鋰量x時開路電極電位的斜率.電位等于0.2和0.05 V時，其dEx/dx為嵌入反應引起的開路電位的變化，由此可求鋰在嵌鋰化合物中的擴散01w-12/g1/2系數(shù).電位為0.2V時y=0.66,相應的x為0.46，電位于0.05 V時y=1.1,相應的x為0.9.圖Fig.5 The relationship of- Zm with w 1/2 at potential5顯示0.2和0.05 V電位時的一Zm~w 1/2線性關系，從直線的斜率和方程(1)和(2)可求出擴散系數(shù)of 0.2 V(a) and 0. 05 V(b)，D.充電過程中HOPG邊界電極中鋰的擴散系數(shù)為0.2 V時為3.87X10 " cm2/s, 0.05 V時為1. 14X10-12 cm2/s.可見隨著嵌鋰化合物的鋰含量增加，D值逐漸下降，這是由于石墨層間鋰原子數(shù)量的增加阻礙了鋰的擴散所致.2.3.2 電位階躍法鋰在高有序石墨中的擴散系數(shù)亦可用電位階躍法測定.高有序石墨邊界面電極以50 μA/em?進行陰極充電.充到一定電位后斷開電路，待電位平衡24 h后進行擴散系數(shù)的測定.實驗時電位向負方向階躍10mV.圖6為在不同電位下進行電位階躍時測得的電流時間曲線.取圖6中各曲線的數(shù)據(jù)作i~t-/2圖，可得線性關系(圖7).說明電流和時間的關系符合Cottrell 方程i = nFAπ-1/2D/2Oct-1/2