本文采用一種新的數(shù)字圖像相關(guān)方法測(cè)量帶有半導(dǎo)體電熱膜的遠(yuǎn)紅外陶瓷熱脹系數(shù).該方法將有限元的位移模式引入,更適合于微細(xì)觀領(lǐng)域的高精度測(cè)量,可以得到熱脹系數(shù)隨溫度變化的曲線.結(jié)果表明,陶瓷基體和電熱膜均表現(xiàn)出各向異性的熱膨脹.在基體和膜熱脹系數(shù)數(shù)值較接近的方向,降溫時(shí)膜收縮而基體繼續(xù)膨脹;在基體和膜的熱脹系數(shù)變化規(guī)律一致的方向上,數(shù)值上膜的熱脹系數(shù)要比基體的熱脹系數(shù)大得多.若已知陶瓷基體和電熱膜的應(yīng)力應(yīng)變本構(gòu)關(guān)系,就可以根據(jù)測(cè)試結(jié)果計(jì)算陶瓷基體與電熱膜之間的熱應(yīng)力及殘余應(yīng)力.