廣東化工2015年第1期.38.www.gdchem.com第42卷總第291期溫下燒結(jié)，添加劑含量過(guò)少不利于瓷體致密化。添加劑在2 %~4wt%比較合適，DF值可以控制在2.0- -5.0x10*之間，絕緣電阻IR .值大于10"s;當(dāng)添加劑量大于6 wt%時(shí)，1260 C、1280 C燒結(jié)瓷料介質(zhì)損耗快速提高、絕緣電阻降低。dieletrie lss/0-4圖2樣品B2材料燒結(jié)后表面形貌Fig.2 The surface SEM of sintered sample B21280C圖6 A型添加劑量對(duì)對(duì)系統(tǒng)瓷料介質(zhì)損耗影響(在不同燒溫下)Fig.6 Influences of the amount of A-type additives on the dielectricloss of ceramic materials (at different sintered temperaturuleete圖3樣品A2材料燒結(jié)后斷面形貌dieleetrie 1oss/10-4Figure 3 The cross section SEM of sintered sample A280706050401260心1280302010圖4樣品B2材料燒結(jié)后斷面形貌圖7 A 型添加劑量對(duì)瓷料絕緣電阻影響(在不同燒溫下)Fig.4 The cross section SEM of sintered sample B2Fig.7 Influences of the amount of additives on the insulationresistance of ceramic materials (at different sintered temperatures)2.2優(yōu)選的A型添加劑對(duì)CSTZ陶瓷致密性的影響A型添加劑與瓷體燒結(jié)致密性關(guān)系如圖5所示，添加劑在2~4wt%時(shí)瓷體致密性理想，瓷體密度可達(dá)真實(shí)密度的98 %以上。加劑加入為6 wt%時(shí)，在1280-1300 C時(shí)瓷體燒結(jié)密性下降，過(guò)多的添加劑不利于瓷體致密化。5.755.7美。。5.65三5.6+-2%圖8 A型添加劑3 wt%的瓷體斷面SEM+ 4%Fig.8 The cross section SEM of ceramics with 3 wt% A-type雖5.556%additives蘭5.535.455.422012401260 1280300 1320圖5 A型添加劑的量與瓷體致密性的關(guān)系Fig.5 The relationship between the amount of A-type additives andthe density of ceramic materials添加劑在陶瓷燒成時(shí)會(huì)產(chǎn)生少量液相，通過(guò)液相傳質(zhì)燒結(jié)。圖9 A 型添加劑6 wt%的瓷體斷面SEM液相傳質(zhì)的必要條件是: (1)燒結(jié)過(guò)程中必須有液相出現(xiàn); (2)液相Fig.9 The cross section SEM of ceramics with 6 wt% A-type對(duì)固相應(yīng)能起潤(rùn)濕作用: (3)粉體顆粒在液相中有一定 的溶解度:(4)可通過(guò)低熔點(diǎn)物質(zhì)助熔劑的引入，或低共熔燒結(jié)物的生成來(lái)滿足。液相的潤(rùn)濕性對(duì)瓷體的致密性起到關(guān)鍵的作用:如果液相對(duì)固相的潤(rùn)濕性能不好，則固態(tài)粉粒之間仍將保持接觸，這時(shí)液相傳質(zhì)機(jī)構(gòu)難以進(jìn)行，粉粒間的液滴呈球狀，燒結(jié)無(wú)法致密:如果液相與固相之間的潤(rùn)濕性能很好，液相將包圍所有固體顆粒表面，顆粒之間幾乎不再相互接觸，顆粒類似懸浮于液相之中，液相傳質(zhì)充分進(jìn)展，使燒結(jié)進(jìn)程大為加速，燒結(jié)溫度隨之降低并達(dá)到燒中國(guó)煤化工結(jié)致密化。2.3優(yōu)選的A型添加劑對(duì)CSTZ陶瓷電性能的影響MHCNMHGA型添加劑對(duì)瓷料介質(zhì)損耗、絕緣電阻的影響如圖6、7所示，圖10A型添加劑8wt%的瓷體斷面SEM當(dāng)添加劑為2 wt%時(shí)，在1260 C、1280 C燒結(jié)與1240 C燒結(jié)相Fig.10 The cross section SEM of ceramics with 8 wt% A-typ比，1240 C燒結(jié)介質(zhì)損耗偏高、絕緣電阻都偏低，主要是因?yàn)榈虯-RyPE additvs(下轉(zhuǎn)第45頁(yè)).2015年第1期廣東化工第42卷總第291期www.gdchem.com從表2可看出，分子量為10000的純PEG時(shí)相變焓最大,而例如(PEG19000x55 %+MPE0G000x40 %)/PET 中PEG190000 與分子量為5000 的MPEG的相變焓為177.43 JIg. (FE19000x75MPEGso000分子量差異過(guò)大，出現(xiàn)兩個(gè)結(jié)晶峰，沒出現(xiàn)共晶或僅形%+MPEG500ox20 %)/PET PCM的相變峰寬明顯低于PEG/PET成部分共晶。熔融峰相互重疊，總相變焓較小。(3)只有PEGPCM單獨(dú)使用時(shí)的相變峰寬。PEG/MPEG/PET PCM的相變焓明MPEG分子量差距較大，但又不懸殊(如PEG1900與MPEG0o)的顯高于PEG/PET的相變焓(PE9G9000x75 %+MPEG500x20 %)PET情況下，才能形成共晶。相變焓最大達(dá)到了180.80Jg'。 這主要是由于共晶的形成，導(dǎo)致2.4結(jié)論了結(jié)晶速度加快，結(jié)晶鏈段變短。因此通過(guò)PEG和MPEG的共(1)PEG與MPEG并用能夠與PET化學(xué)合成固固相變材料。晶可控制相變溫度，也使溫度調(diào)節(jié)更靈敏。(2)與PEG/PET相比，在PEG/MPEG/PET PCM中由于MPEGMPEG 與PEG的質(zhì)量配比為3: 10~7: 10, MPEG+PEG與的加入，反應(yīng)速度和程度降低，杜絕了體型分子的出現(xiàn)。PET的質(zhì)量配比范圍為3:2~19: 1, MPEG與PEG的分子量至(3)在PEGMPEG/PET PCM中，適宜分子量和配比的PEG少相差2000有利于形成共晶3-5]。分大國(guó)和工C PESPE010000與PET之間形成的化學(xué)鍵和氫鍵對(duì)整個(gè)PEG分子鏈與MPEG形成了共晶，材料的相變峰寬變窄，提高了材料的相變焓。使儲(chǔ)能和釋能更有效、更靈敏，具有更大的實(shí)用價(jià)值和應(yīng)用的牽制作用比PEGo00 PEG000 小得多,昌大與公子昌為10600小得多，PEC0000PET的結(jié)晶度范圍。最大。與分子量為100的PEG相比，分子量為50000 的MPEG的一端為輕基，另一端為甲基，運(yùn)動(dòng)性提高，結(jié)晶體中鐵陷減少，參考文獻(xiàn)導(dǎo)致結(jié)晶度提高。PEG 分子量過(guò)大時(shí)，分子鏈很長(zhǎng)，相互間易發(fā)[1]王艷秋，張恒中，朱秀林化學(xué)法制備的PEG/PET固固相轉(zhuǎn)變材料[].精生纏結(jié)，阻礙其形成規(guī)整的結(jié)晶，結(jié)晶度下降，導(dǎo)致相變焓降低。細(xì)石油化工進(jìn)展，2002, 3(11): 24-27低分子量的MPEG的加入避免了PEG過(guò)長(zhǎng)分子鏈相互纏結(jié)，起[2]王艷秋，張恒中，朱秀林. (PEG+PEG2)/PET 共混固固相轉(zhuǎn)變材料中到了隔離作用，而MPEG的加入同時(shí)也減少了低分子量PEG端PEG共晶現(xiàn)象的研究[J].精細(xì)石油化工進(jìn)展，2002，3(7); 49-53.點(diǎn)過(guò)多的缺陷。結(jié)晶度低的PEG晶體進(jìn)入另一種結(jié)晶度高的MPEG晶相中形成共晶。二者分子結(jié)構(gòu)互補(bǔ)形成共晶，使該P(yáng)CM[3]李金富，周堯和。界面動(dòng)力學(xué)對(duì)共晶生長(zhǎng)過(guò)程的影響[D]. 中國(guó)科學(xué)，相變速度加快，相變焓提高，相變峰寬變窄，可以更好地用作蓄51i;:449-45熱材料，更準(zhǔn)確靈敏地控制相變溫度。[4]謝飛，劉美鑰，真空共晶技術(shù)的研究應(yīng)用[U].電子工藝技術(shù)，2006,并不是任何分子量PEG的并用都能產(chǎn)生共晶。實(shí)驗(yàn)中有以下[5]王毅.硬脂酸復(fù)合相變儲(chǔ)熱材料的自組裝合成及性能研究[博士學(xué)位論幾種情況: (1)分 子量相近的MPEG和PEG并用相變焓較小。例文]蘭州:蘭州理工大學(xué)，2014.如(PEG000x85 %+MPEGo00Xx 10 %)/PET雖形成共晶，但熱焓僅有78.33 J/g.相變峰寬為54.15K，二者單獨(dú)使用時(shí)較易結(jié)晶，并用(本文文獻(xiàn)格式:王艷秋，張小萍，臧亞南，等. MPEG優(yōu)化PEG/PETPCM后增加了體系的混亂度，結(jié)晶度降低，相變焓減小。(2)分子量差異過(guò)大，出現(xiàn)兩個(gè)或三個(gè)結(jié)晶峰，沒出現(xiàn)共晶或僅形成部分共晶?；瘜W(xué)工藝和相變性能的研究[J]. 廣東化工，2015, 42(1): 43-45)(上接第38頁(yè))3結(jié)論綜合以上研究，優(yōu)選出SiO2-MgO-BaCO3-CaCO3-MnCO3 體系為高頻CSTZ陶瓷的添加劑，當(dāng)添加量在2-4 wt%時(shí)可以獲得具有良好燒結(jié)性及介電性能的賤金屬M(fèi)LCC瓷料。[1]張韶鴿,孟淑媛,付依梅. B料MLCC鎳內(nèi)電極漿料質(zhì)量性能研究[J].電圖11 A 型添加劑8 wt%的瓷體表面SEMFig.11 The surface SEM of ceramics added 8 wt% A-type additives[2]鄧湘云，李建保，王曉慧，等. MLCC的發(fā)展趨勢(shì)及在軍用電子設(shè)備中的應(yīng)用[].電子元件與材料，2006, (05).A型添加劑對(duì)瓷體顯微結(jié)構(gòu)的影響如圖8、9、10所示，瓷[3]王文生.多層陶瓷電容器Ni內(nèi)電極研究進(jìn)展[].電子元件與材料, 1994,體在1280 C燒結(jié)，添加劑在3 wt%時(shí)瓷體燒結(jié)致密，結(jié)構(gòu)均勻:(01).添加劑在6wt%時(shí)瓷體開始不致密:添加劑在8wt%時(shí)瓷體燒結(jié)(本文文獻(xiàn)格式:楊智華，莫方策，劉玉紅.賤金屬M(fèi)LCC瓷料添不致密并有大量的玻璃相析出，瓷體表面有大量的團(tuán)聚物。加劑的研究[J].廣東化工，2015， 42(1): 37-38)中國(guó)煤化工MHCNMHG